삼성, 내년 반도체 투자 10조 안팎
삼성전자의 내년 총 반도체 투자 금액이 10조원 안팎에 머물 것으로 보인다. 신규 라인 증설 계획이 없는데다 라인 전환 및 확장 투자 관련 지출이 올해 이뤄졌기 때문.
산술적으로 계산하면 내년 삼성전자의 반도체 투자는 올해 13조원보다 25% 이상 줄어드는 셈이다.
반도체 시장이 삼성전자, 하이닉스, 마이크론의 3강 체제로 재편된데다 신규 사업자의 시장 진입이 쉽지 않아 대규모 투자를 할 이유가 없어진 것이 그 첫번째 이유로 꼽힌다.
또 업체들이 필요한 부분에 대해서는 전략적인 크로스라이센싱을 통해 부품을 조달하고 차세대 반도체 개발에 집중할 수 있는 환경이 조성된 것도 삼성전자가 반도체 투자 규모를 ‘이성적’으로 가져가는 배경의 다른 원인으로 분석된다.
24일 업계의 한 관계자는 “내년 삼성전자 반도체 투자 규모가 10조원 안팎에 머물 것으로 전망된다”며 “화성 17라인 및 텍사스 오스틴 공장의 비메모리 전환, 중국 시안 공장 1단계에 들어가는 투자가 올해 사실상 마무리 되어 내년에 신규 팹 증설 계획이 없기 때문”이라고 밝혔다.
삼성전자는 올해 메모리 반도체에 총 13조원을 투자하겠다고 밝힌 바 있다.
다른 관계자는 “내년에는 V낸드를 중심으로 낸드 플래시 확장에 초점을 맞출 것”이라며 “서버용 SSD 수요가 폭발적으로 늘고 있기 때문에 기존 라인을 바탕으로 시장 상황에 따라 낸드 생산량 증설을 탄력적으로 가져갈 것”이라고 밝혔다. 시안 공장은 빠르면 내년 1분기 가동을 시작할 예정이다. 여기에서 생산한 낸드플래시 메모리 반도체는 IBM과 애플등에 공급될 것으로 보인다.
디램 메모리 반도체의 경우 하이닉스와의 전략적인 협업을 통해 필요한 만큼 재무적 부담없이 조달하겠다는 계획이다. 삼성전자는 대신 모바일 디램등 고부가가치 메모리 반도체에 대한 공정 전환을 가속화 한다는 복안이다.
삼성전자의 한 관계자는 내년 투자 규모 축소에 대해 “아직 확정된 바 없다”며 “내년 1분기 실적 발표회 때 확정치를 발표할 것”이라고 말했다.
삼성전자의 내년 총 반도체 투자 금액이 10조원 안팎에 머물 것으로 보인다. 신규 라인 증설 계획이 없는데다 라인 전환 및 확장 투자 관련 지출이 올해 이뤄졌기 때문.
산술적으로 계산하면 내년 삼성전자의 반도체 투자는 올해 13조원보다 25% 이상 줄어드는 셈이다.
반도체 시장이 삼성전자, 하이닉스, 마이크론의 3강 체제로 재편된데다 신규 사업자의 시장 진입이 쉽지 않아 대규모 투자를 할 이유가 없어진 것이 그 첫번째 이유로 꼽힌다.
또 업체들이 필요한 부분에 대해서는 전략적인 크로스라이센싱을 통해 부품을 조달하고 차세대 반도체 개발에 집중할 수 있는 환경이 조성된 것도 삼성전자가 반도체 투자 규모를 ‘이성적’으로 가져가는 배경의 다른 원인으로 분석된다.
24일 업계의 한 관계자는 “내년 삼성전자 반도체 투자 규모가 10조원 안팎에 머물 것으로 전망된다”며 “화성 17라인 및 텍사스 오스틴 공장의 비메모리 전환, 중국 시안 공장 1단계에 들어가는 투자가 올해 사실상 마무리 되어 내년에 신규 팹 증설 계획이 없기 때문”이라고 밝혔다.
삼성전자는 올해 메모리 반도체에 총 13조원을 투자하겠다고 밝힌 바 있다.
다른 관계자는 “내년에는 V낸드를 중심으로 낸드 플래시 확장에 초점을 맞출 것”이라며 “서버용 SSD 수요가 폭발적으로 늘고 있기 때문에 기존 라인을 바탕으로 시장 상황에 따라 낸드 생산량 증설을 탄력적으로 가져갈 것”이라고 밝혔다. 시안 공장은 빠르면 내년 1분기 가동을 시작할 예정이다. 여기에서 생산한 낸드플래시 메모리 반도체는 IBM과 애플등에 공급될 것으로 보인다.
디램 메모리 반도체의 경우 하이닉스와의 전략적인 협업을 통해 필요한 만큼 재무적 부담없이 조달하겠다는 계획이다. 삼성전자는 대신 모바일 디램등 고부가가치 메모리 반도체에 대한 공정 전환을 가속화 한다는 복안이다.
삼성전자의 한 관계자는 내년 투자 규모 축소에 대해 “아직 확정된 바 없다”며 “내년 1분기 실적 발표회 때 확정치를 발표할 것”이라고 말했다.
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